サムスン電子は、高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）の第５世代であるＨＢＭ３Ｅ ８段製品を第３四半期（７～９月）内に量産して供給を本格化し、１２段製品も下半期に供給する予定だと明らかにした。
サムスン電子メモリ事業部のキム・ジェジュン戦略マーケティング室長（副社長）は３１日、第２四半期の業績カンファレンスコールにおいて、「第２四半期のメモリ市場は、生成型ＡＩ需要の強さに支えられ、好調が持続した」とし、「ＨＢＭの売上高は前四半期比５０％半ば上昇した」と説明した。
キム副社長は、「（ＨＢＭ４世代である）ＨＢＭ３は、すべてのＧＰＵ顧客に量産供給を拡大しており、第２四半期には、前四半期比３倍近い売上高を記録した」と説明した。
ただし、関心が集まっているＮＶＩＤＩＡによるＨＢＭ３Ｅの品質テストの進行状況については、「顧客との秘密保持契約（ＮＤＡ）遵守のため、当該情報について言及することはできない」と述べた。
キム副社長は一方で、「ＨＢＭ３Ｅ ８段製品は、前四半期初めに量産ランプアップ（生産量拡大）の準備とともに主要顧客社にサンプルを提供し、顧客社の評価（審査）を正常に進行中」であるとし、「第３四半期中に量産供給が本格化する予定」であると述べた。
