ＳＫハイニックスは２５日に開かれた第２四半期（４～６月）決算発表カンファレンスコールにおいて、「第３四半期（７～９月）にはＨＢＭ３ＥがＨＢＭ３の出荷量を大きく上回り、全体のＨＢＭ出荷量の半分を占めるだろう」とし、「今年は増加したシリコン貫通電極（ＴＳＶ）キャパ、１ｂｎｍへの転換投資を基盤にＨＢＭ３Ｅの供給を迅速に拡大する計画で、昨年に比べて約３００％のＨＢＭ売上成長を達成すると予想している」と述べた。
ＳＫハイニックスは「ＨＢＭ３Ｅ １２段製品の需要は来年本格的に増加するだろう」とし、「（ＳＫハイニクスの場合）来年上半期中にＨＢＭ３Ｅ １２段の供給量が８段製品を上回るだろう」と予想した。
続けて、「ＨＢＭ３Ｅ ８段に比べて１２段製品の技術難易度は高くなるが、８段製品の成功的な開発、量産ランプアップ（生産量拡大）が進んでおり、安定的な収量に必要な時間を短縮することができる」と説明した。
ＳＫハイニックスは「（第６世代である）ＨＢＭ４ １６段製品は、２０２６年に需要が発生すると予想されるため、これに備えて開発する予定」とし、「（ＨＢＭ４ １６段には）アドバンストＭＲ－ＭＵＦ、ハイブリッドボンディング技術をすべて検討し、顧客のニーズに合致する最適な方式を使う計画」と述べた。
