ＳＫハイニックスがカスタム高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）の第６世代製品であるＨＢＭ４の開発に合わせ、次世代パッケージング技術開発にスピードを上げる。
ＨＢＭ４ １６段からはアドバンスドＭＲ－ＭＵＦ、ハイブリッドボンディング技術をすべて検討し、顧客のニーズに合致する最適な方式を採用する計画だ。
イ・ジョンギョンＳＫハイニックスＰＫＧ製品開発担当副社長は、自社ニュースルームに公開されたインタビューで「カスタムＨＢＭに合わせて次世代パッケージング技術を開発する」とし、「放熱性能が優秀な既存のアドバンストＭＲ－ＭＵＦを持続的に高度化する一方、ハイブリッドボンディングなど新しい技術を確保していく計画」と明らかにした。
ＨＢＭはＤＲＡＭを複数積層して作る。積層数が多くなるほど放熱、反り現象などが発生し、これを解決するパッケージング技術が不可欠だ。
特に、ハイブリッドボンディング技術は１６段以上のＨＢＭ製品で必要性が高まっている。
ハイブリッドボンディングは、チップを積層する際、チップとチップの間にバンプを形成せずに直接接合させる技術だ。この技術を活用すれば、チップ全体の厚みが薄くなり、高段積層が可能になるという強みがある。
イ副社長は「標準規格に従って製品の厚さを維持しながら性能と容量を高めるためのチップの高段積層の方法として、
