SKハイニックスが世界初の10ナノ級6世代1c微細プロセスを適用した16Gb(ギガビット)DDR5 DRAMの開発に成功したと29日に明らかにした。
SKハイニックスは、「10ナノ級DRAM技術が世代を重ねるにつれて微細工程の難易度が非常に高くなったが、業界最高性能が証明された第5世代(1b)の技術力を基に設計完成度を高め、最も早く技術限界を突破した」と述べた。
SKハイニックスは年内に1c DDR5の量産準備を終え、来年から製品を本格的に供給する計画だ。
半導体業界は10ナノ大DRAMから世代別にアルファベット記号を付けて呼称しており、1x(1世代)、1y(2世代)、1z(3世代)、1a(4世代)、1b(5世代)に続き、1cは6世代技術だ。
SKハイニックスは、2021年7月に極紫外線(EUV)を活用して1a技術が適用されたDRAMを本格的に量産したのに続き、