ＳＫキファウンドリーは、モバイルおよび電力半導体の性能向上を図るために改善された第４世代０．１８μｍ（マイクロメートル）ＢＣＤプロセスを１１日に発表した。
ＳＫキファウンドリーの第４世代プロセスは、従来の第３世代に比べて性能が２０％向上しており、３．３Ｖ、５Ｖ、１８Ｖなどのさまざまな電力デバイスゲート入力端子を含む４０Ｖクラスの電力デバイスを提供する。
このプロセスは、サーバーおよびノートパソコン用電力半導体（ＰＭＩＣ）、
ＳＫキファウンドリーは、モバイルおよび電力半導体の性能向上を図るために改善された第４世代０．１８μｍ（マイクロメートル）ＢＣＤプロセスを１１日に発表した。
ＳＫキファウンドリーの第４世代プロセスは、従来の第３世代に比べて性能が２０％向上しており、３．３Ｖ、５Ｖ、１８Ｖなどのさまざまな電力デバイスゲート入力端子を含む４０Ｖクラスの電力デバイスを提供する。
このプロセスは、サーバーおよびノートパソコン用電力半導体（ＰＭＩＣ）、
