出所：THEELEC（10月2日）
・SKハイニックスは、高帯域幅メモリ（HBM）製造の核心装置である熱圧着（TC）ボンダの調達先を多様化した。これは、韓国の半導体装置メーカーであるハンミ半導体への依存度を減らすための措置と見られる。
・業界によると、SKハイニックスは先月、HBM3E 12層製品の量産拡大のため、ASMPTから数十台のTCボンディング装置を注文した。情報筋によれば、30台以上の注文があったという。ASMPTは香港に本社を置く半導体装置メーカーである。
・TCボンダは、複数のチップを垂直に積み重ねるHBM製造プロセスに欠かせない機器だ。SKハイニックスは、TCボンダを使ってチップダイを少しずつ置き、マスリフロー（MR）プロセスでチップを完全に接着させる。その後、絶縁のためにアンダーフィル（Underfill）プロセスを経る。この一連の工程をSKハイニックスはMR-MUF（モールドアンダーフィル）と呼んでいる。
・HBM3E 12層では一部の工程が変更され、チップダイの厚さが薄くなったため、
