出所：聯合ニュース（10月18日）
– SKハイニックスの半導体技術を中国に流出させ、サムスン電子の子会社セメスの装置図面を不正に取得したとして、協力会社の副社長が二審でも実刑判決を受けた。
– ソウル高裁刑事7部は、産業技術保護法や不正競争防止法違反の罪で起訴されたSKハイニックス協力会社の副社長A氏に対し、懲役1年6ヶ月の実刑を言い渡した。一審では懲役1年の判決だった。
– 一審で執行猶予が付いた研究所長など他の3名の社員も、
出所：聯合ニュース（10月18日）
– SKハイニックスの半導体技術を中国に流出させ、サムスン電子の子会社セメスの装置図面を不正に取得したとして、協力会社の副社長が二審でも実刑判決を受けた。
– ソウル高裁刑事7部は、産業技術保護法や不正競争防止法違反の罪で起訴されたSKハイニックス協力会社の副社長A氏に対し、懲役1年6ヶ月の実刑を言い渡した。一審では懲役1年の判決だった。
– 一審で執行猶予が付いた研究所長など他の3名の社員も、
