SKハイニックスが来年初頭に5世代目の高帯域メモリ（HBM3E）16段積層製品のサンプルを主要顧客に供給することを公式に発表した。16段製品の供給は競合他社に先行しており、具体的な日程を明示したのは初めてである。
SKハイニックスのCEO、クァク・ノジョン氏は、4日にソウルのCOEXで開催された「SK AIサミット」の基調講演で直接HBM3E 16段製品の発売を発表した。クァク氏は、「6世代目製品であるHBM4製品群では12段と16段製品が主力になると予想される」とし、「技術の安定性を確保するため、5世代目（HBM3E）で16段製品を先行して開発している」と述べた。
彼は「来年初頭にサンプルが提供される予定」であり、「量産が検証済みのMR-MUFパッケージ技術を引き続き使用し、バックアップ工程としてハイブリッドボンディング工程も同時に開発している」と付け加えた。
MR-MUF（Molded Reflow-underfill）は、SKハイニックスが独自に開発した技術であり、
