SKハイニックスは、世界最高層である321層の1Tb（テラビット）TLC 4D NANDフラッシュの量産を開始したと21日に発表した。
SKハイニックスは、「今回、300層を超えるNANDを最初に披露し、技術の限界を突破した」と述べ、「来年上半期から321層製品を顧客に供給し、市場の要求に応えていく」と語った。
NANDフラッシュは、電源が切れてもデータを保持するメモリ半導体であり、セルを垂直に積み重ねてデータ容量を拡大する積層技術が競争力の核心要素となっている。
SKハイニックスは、2023年6月に前世代の最高層である238層NANDの量産を開始し市場に供給した。その後、同年8月には321層のNANDサンプルを公開し、世界で初めて300層以上のNAND開発を公式化した。
SKハイニックスは、今回の製品開発過程において、生産効率の高い「3プラグ（Plug）」工程技術を導入し、積層の限界を克服したと説明した。この技術は、
