出所：聯合ニュース（11月21日）
– 高帯域幅メモリ（HBM）市場で競争を繰り広げるメモリ業界の3社（SKハイニックス、サムスン電子、マイクロン）が、AI時代の到来に伴い、NANDフラッシュメモリ市場でも激しい競争を展開している。
– データセンター、PC、モバイルなど、さまざまなアプリケーションで、AI向けの高容量・高性能・低消費電力のNAND製品の需要が急増しており、企業間で「積層競争」が激化している。
– SKハイニックスは、世界最高の321層1Tb TLC 4D NANDフラッシュの量産を発表し、12%のデータ転送速度向上、13%の読み取り性能向上、10%以上の電力効率向上を実現した。
– NANDは電源が切れてもデータが保存されるメモリ半導体で、主にSSD（ソリッドステートドライブ）に使用される。昨年は「半導体寒波」により価格が下落し、
