韓国の研究チームが、金属とは全く異なる性質を持つ新しい非晶質準金属ナノ超薄膜物質を開発し、次世代半導体の原材料技術として注目されている。
アジュ大学は3日、オ・イルクォン教授（知能半導体工学科・電子工学科）率いる国際共同研究チームが、半導体配線材料として使用される超薄膜で、比抵抗（電流の流れを妨げる物理的な量）が小さくなる次世代金属材料を開発したことを発表した。
アジュ大学の研究チームが世界で初めて開発した位相準金属物質は、薄膜の厚さが減少するにつれて比抵抗が増加する従来の金属とは逆に、薄膜の厚さが減るにつれて比抵抗が急激に減少する特性を示す。
また、この位相準金属物質は現在の半導体プロセスに適用できるほどの互換性（Compatibility）を持っている。成長温度が400度未満の低温であり、一般的な金属が持つ結晶の単結晶や多結晶の薄膜ではなく、非晶質の薄膜であっても比抵抗逆行現象が現れるからだ。
新しい準金属物質は非晶質物質であるため、別途高温プロセスを必要としない。
つまり、プロセス互換性が高く、
