ハンミ半導体は1月6日、仁川西区で高帯域幅メモリ（HBM）製造用機器TCボンダの7番目の工場の起工式を行ったと発表した。
この工場は延べ面積1万4,400㎡の2階建ての建物で、今年第4四半期に完成する予定だ。
ブロードコムに供給するHBM3E 12層以上の高性能HBMを生産するTCボンダなどを製造する工場として活用される。
この工場が完成すれば、
ハンミ半導体は1月6日、仁川西区で高帯域幅メモリ（HBM）製造用機器TCボンダの7番目の工場の起工式を行ったと発表した。
この工場は延べ面積1万4,400㎡の2階建ての建物で、今年第4四半期に完成する予定だ。
ブロードコムに供給するHBM3E 12層以上の高性能HBMを生産するTCボンダなどを製造する工場として活用される。
この工場が完成すれば、
