超高解像度マイクロディスプレイにおける長年の課題であったピクセル干渉現象を根本的に解決する核心技術が開発された。
韓国研究財団（理事長 ホン・ウォナ）は、ハニャン大学のキム・ドファン教授、ヨンセ大学のチョ・ジョンホ教授、ソガン大学のカン・ムンソン教授で構成された共同研究チームが、高密度ピクセル環境においても信号干渉なしに鮮明な画質を実現できる超高解像度OLEDマイクロディスプレイの核心技術を開発したと発表した。
拡張現実技術を活用した没入型コンテンツの需要が増加する中、現実のような視覚情報を提供し、即時の没入感をもたらすOLEDマイクロディスプレイの開発が求められている。
しかし、解像度が向上するにつれ、ピクセル間の距離が数マイクロメートルレベルまで接近し、電気的信号干渉が発生することで、色域と色純度が低下する問題が生じていた。
この問題を解決するためには、ピクセル間で共有される正孔輸送層を微細にパターン化し、隣接するピクセルへ流れるリーク電流を遮断することが重要である。しかし、現在、正孔輸送層として広く使用されている低分子有機半導体は、高密度ピクセル環境において未解決の課題となっていた。
