出所：ＭＢＣニュース・ニュースデスク（単独報道） ２０２３年１２月１３日付
・サムスン電子のＤＲＡＭ技術が中国企業に流出した疑いで、同社の元部長に拘束令状を請求した。
・中国のＣＸＭＴ（长鑫存储／ＣｈａｎｇＸｉｎ Ｍｅｍｏｒｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）は５世代超低消費電力ＤＲＡＭを開発し、韓国との技術格差を縮めていた。
・これには、サムスン電子の１８ナノ級ＤＲＡＭの核心技術が流出した疑いが持たれている。
・被害額は数兆ウォン（数千億円）に達すると予想され、捜査を拡大中。
・サムスン電子の関連半導体装備メーカーの職員も流出に加担した疑いで拘束令状を請求。
・技術流出が実際の被害につながる場合、数十兆ウォンに達すると予想。
・検察は拘束するかどうかについて裁判所の審査を待っている。
※近年、韓国では、半導体やディスプレイ製造技術などの中国流出事件が相次いでいる。
