ＳＫハイニックスが世界最高層である３２１段のＮＡＮＤサンプルを公開した。３００段以上のＮＡＮＤ開発を公式化したのは世界初だ。
ＳＫハイニックスは８日（現地時間）、米国カリフォルニア州サンタクララで開幕した「フラッシュメモリサミット（Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｕｍｍｉｔ－ＦＭＳ）２０２３ 」で３２１段１テラビット（Ｔｂ）ＴＬＣ（Ｔｒｉｐｌｅ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）４Ｄ ＮＡＮＤフラッシュの開発経過を発表し、開発段階のサンプルを展示した。
ＳＫハイニックスの当該報道資料（英文）：https://news.skhynix.com/sk-hynix-showcases-samples-of-worlds-first-321-layer-nand/
ＮＡＮＤフラッシュは電源が切れてもデータが保存されるメモリ半導体で、セルを垂直に積み重ねてデータ容量を増やす積層技術が競争力の核心要素とされている。
メモリ業界で３００段以上のＮＡＮＤの具体的な開発経過を公開したのはＳＫハイニックスが初めてだ。ＳＫハイニックスは、３２１段ＮＡＮＤの完成度を高めて２０２５年上半期から量産する計画だ。
ＳＫハイニックス関係者は、「量産中の現存最高層２３８段ナンドを通じて蓄積した技術力を基に３２１段ナンド開発を順調に進めている」とし、「積層限界を再び突破し、ＳＫハイニックスが３００段台ナンド時代を開き、市場を主導する」と強調した。
これに先立ち、ＳＫハイニックスは昨年８月、フラッシュメモリサミットイベントで業界最高層である２３８段ＮＡＮＤ４Ｄ新製品を公開し、注目を集めた。
マイクロンが昨年７月に２３２段ＮＡＮＤの出荷を開始したのに続き、サムスン電子［００５９３０］が同年１１月に２３６段と推定される１Ｔｂ第８世代Ｖネンドの量産を開始するなど、半導体メーカーではこれまで技術障壁の限界とされた「２００段」を超えたＮＡＮＤ段数競争が激しい。
今回ＳＫハイニックスが公開した３２１段１Ｔｂ ＴＬＣ ＮＡＮＤは、前世代の２３８段５１２ギガビット（Ｇｂ）と比較して生産性が５９％向上した。
データを保存するセルをより高い単数で積み重ね、一つのチップでより大きな容量を実現することで、ウェーハ１枚で生産できる全体容量が増えたからだ。
ＮＡＮＤは一つのセルに何個の情報（ビット単位）を保存するかによって、ＳＬＣ（１個）、ＭＬＣ（２個）、ＴＬＣ（３個）、ＱＬＣ（４個）、ＰＬＣ（５個）などに規格が分けられる。情報保存量が増えるほど、同じ面積に多くのデータを保存することができる。
チャットＧＰＴがきっかけとなった生成型人工知能（ＡＩ）市場の成長で、最近メモリ市場では、より多くのデータをより速く処理して保存するための高性能・大容量メモリの需要が急増している。
ＳＫハイニックスは今回のイベントで、次世代ＮＡＮＤソリューション製品であるＰＣＩｅ５世代（Ｇｅｎ５）インターフェースを適用した企業用ＳＳＤ（ｅＳＳＤ）とＵＦＳ ４．０も一緒に紹介した。
ＳＫハイニックスは、これらの製品が業界最高水準の性能を確保したため、高性能を重視する顧客のニーズを満たすものと期待している。
また、次世代であるＰＣＩｅ ６世代とＵＦＳ ５．０の開発に着手したことを明らかにし、業界の技術トレンドをリードする意志も再確認した。
チェ・ジョンダルＳＫハイニックスＮＡＮＤ開発担当副社長は、基調講演で「４Ｄ ＮＡＮＤ第５世代３２１段製品を開発し、ＮＡＮＤ技術リーダーシップを確固たるものにする計画」とし、「ＡＩ時代が要求する高性能、大容量ＮＡＮＤを市場に主導的に投入し、革新をリードしていく」と述べた。
フラッシュメモリサミットは毎年サンタクララで開かれるＮＡＮＤ業界世界最大規模のカンファレンスだ。
