ＳＫハイニックスが世界最高層である３２１段のＮＡＮＤサンプルを公開した。３００段以上のＮＡＮＤ開発を公式化したのは世界初だ。
ＳＫハイニックスは８日（現地時間）、米国カリフォルニア州サンタクララで開幕した「フラッシュメモリサミット（Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｕｍｍｉｔ－ＦＭＳ）２０２３ 」で３２１段１テラビット（Ｔｂ）ＴＬＣ（Ｔｒｉｐｌｅ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）４Ｄ ＮＡＮＤフラッシュの開発経過を発表し、開発段階のサンプルを展示した。
ＮＡＮＤフラッシュは電源が切れてもデータが保存されるメモリ半導体で、セルを垂直に積み重ねてデータ容量を増やす積層技術が競争力の核心要素とされている。
メモリ業界で３００段以上のＮＡＮＤの具体的な開発経過を公開したのはＳＫハイニックスが初めてだ。ＳＫハイニックスは、３２１段ＮＡＮＤの完成度を高めて２０２５年上半期から量産する計画だ。
