ＳＫハイニックスが人工知能（ＡＩ）用超高性能ＤＲＡＭ新製品「ＨＢＭ３Ｅ」の開発に成功し、性能検証のために顧客であるＮＶＩＤＩＡにサンプルを供給し始めたことを２１日に明らかにした。
ＨＢＭは、複数のＤＲＡＭを垂直に接続して既存のＤＲＡＭよりデータ処理速度を革新的に引き上げた高付加価値・高性能製品で、１世代（ＨＢＭ）－２世代（ＨＢＭ２）－３世代（ＨＢＭ２Ｅ）－４世代（ＨＢＭ３）－５世代（ＨＢＭ３Ｅ）の順に開発されている。ＨＢＭ３ＥはＨＢＭ３の拡張バージョンだ。
※SKハイニクスの当該報道資料（ハングル）：https://news.skhynix.co.kr/presscenter/developed-hbm3e-dram
ＳＫハイニックスは「ＨＢＭ３を独占的に量産してきた経験を基に、世界最高の性能を実現したＨＢＭ３Ｅの開発に成功した」とし、「来年上半期からＨＢＭ３Ｅの量産に入り、ＡＩ用メモリ市場で独歩的な地位を確固たるものにする」と強調した。
ＳＫハイニックスが開発したＨＢＭ３Ｅは、毎秒最大１．１５テラバイト（ＴＢ）以上のデータを処理することができる。これはフルＨＤ級映画２３０本以上のデータを１秒間で処理する水準だ。
これとともに、アドバンスドＭＲ－ＭＵＦ最新技術を適用し、製品の放熱性能を従来比１０％向上させた。ＭＲ－ＭＵＦプロセスは、半導体チップとチップ間の回路を保護するために、液体状の保護材を空間間に注入して固めるプロセスを指す。
ＨＢＭ３Ｅは下位互換性も備えており、ＨＢＭ３を念頭に置いて構成したシステムでも設計や構造を変更することなく新製品を適用することができる。
イアン・バックＮＶＩＤＩＡハイパースケール－ＨＰＣ担当副社長は、「ＮＶＩＤＩＡは、最先端の加速コンピューティングソリューション用のＨＢＭのためにＳＫハイニックスと長い間協力を続けてきた」とし、「今後も次世代ＡＩコンピューティングを披露するため、ＨＢＭ３Ｅ分野で両社間の協力が続くことを期待している」と述べた。
ＳＫハイニックスＤＲＡＭ商品企画担当のリュ・ソンス副社長は、「ＨＢＭ３Ｅを通じ、ＡＩ技術の発展とともに注目されているＨＢＭ市場で製品ラインナップの完成度を高め、市場主導権を確固たるものにすることができた」とし、「今後、高付加価値製品であるＨＢＭの供給比率が引き続き高まり、経営成績の回復が加速するだろう」と述べた。
