サムスン電子が３１日、生成型人工知能（ＡＩ）の普及で急浮上する高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）と関連し、来年のＨＢＭ生産能力を今年より２．５倍以上増やす計画を明らかにした。
サムスン電子メモリ事業部のキム・ジェジュン副社長は３１日、第３四半期（７～９月）決算発表カンファレンスコールにおいて、「現在、ＨＢＭ３とＨＢＭ３Ｅ新製品事業を拡大中であり、すでに主要顧客と来年の供給量に関する協議を完了した状況」とし、「来年のＨＢＭ供給能力は、業界最高水準を維持するため、今年比２．５倍以上を確保する計画で、すでに主要顧客社と来年供給協議を完了した状態だ」と述べている。
（参考記事：サムスン電子２０２３年第３四半期実績発表カンファレンスコール全文（有料））
キム副社長は「ＨＢＭ３は第３四半期にすでに８段と１２段の量産供給を開始し、第４四半期には顧客社拡大を通じて販売を本格化している」とし、「ＨＢＭ３の割合は持続的に増加し、来年上半期内にＨＢＭ全体の販売量の過半数を超えると予想する」と述べた。
次世代であるＨＢＭ３Ｅも２４ギガバイト（ＧＢ）のサンプル供給を開始し、来年上半期内に量産を開始する予定で、３６ＧＢ製品は来年第１四半期にサンプルを供給する予定だ。
ＨＢＭは複数のＤＲＡＭを垂直に接続してデータ処理速度を革新的に引き上げた高性能メモリで、１世代（ＨＢＭ）－２世代（ＨＢＭ２）－３世代（ＨＢＭ２Ｅ）－４世代（ＨＢＭ３）－５世代（ＨＢＭ３Ｅ）の順に開発されている。
サムスン電子は先月２０日、米国シリコンバレーで開かれた「メモリーテックデー」イベントで、毎秒最大１．２テラバイト（ＴＢ）以上のデータを処理できる超高性能ＨＢＭ３Ｅ ＤＲＡＭ「シャインボルト」を初めて披露した。
キム副社長は、「来年下半期にはＨＢＭ３Ｅへの急激な転換を通じて、さらに高まるＡＩ市場のニーズに積極的に対応する計画」とし、「今後もＨＢＭのリーディングカンパニーとして製品競争力と安定的な供給力などを基盤にＨＢＭ市場のリーダーシップを強化していく」と述べた。
