サムスン元主任研究員に拘束令状…２０ナノＤＲＡＭ技術の中国流出容疑で

ソウル警察庁保安捜査隊は１５日、サムスン電子が独自開発した半導体の核心技術を中国に流出させた元主任研究員に対して拘束令状を申請したことを明らかにした。

警察によると、元研究員Ａ氏は２０１４年、サムスン電子が独自に開発した２０ナノＤＲＡＭ半導体技術工程図７００枚余りを無断流出させ、中国企業の成都高真科技（ＣＨＪＳ）が製品開発に使用させた容疑（産業技術保護法違反）を受けている。