ソウル警察庁保安捜査隊は１５日、サムスン電子が独自開発した半導体の核心技術を中国に流出させた元主任研究員に対して拘束令状を申請したことを明らかにした。
警察によると、元研究員Ａ氏は２０１４年、サムスン電子が独自に開発した２０ナノＤＲＡＭ半導体技術工程図７００枚余りを無断流出させ、中国企業の成都高真科技（ＣＨＪＳ）が製品開発に使用させた容疑（産業技術保護法違反）を受けている。
警察は昨年、現職の成都雅電役員であるＡ氏の自宅を押収捜査する過程でこの工程図を発見し、捜査してきたという。
また、警察は半導体技術人材の大規模な中国流出情況も把握して捜査中だ。
警察は昨年１０月、ＣＨＪＳの依頼でサムスン電子とＳＫハイニックスの従業員を大量に引き抜いて中国側に移ることに加担した疑いがあるコンサルティング会社とヘッドハンティング会社１０ヵ所を押収した。
Ａ氏の拘束前被疑者尋問（令状実質審査）は１６日午前１０時３０分、ソウル中央地裁で開かれる。
