韓国の研究陣が酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）次世代電力半導体の核心素材と素子プロセス技術を開発した。
韓国電子通信研究院（ＥＴＲＩ）は１日、ムン・ジェギョン博士の研究チームが韓国セラミック技術院（ＫＩＣＥＴ）のチョン・デュウォン博士チームと一緒に韓国で初めて３ｋＶ級酸化ガリウム電力半導体金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（モスフェット－ＭＯＳＦＥＴ）素子技術を開発したと明らかにした。
韓国政府は電力半導体素子について、「素材・部品・装備関連１２大国家戦略技術」の一つとしている。移動および量子通信、電気自動車、太陽光および風力発電、電力伝送、国防、航空宇宙、量子コンピューターなど、国家産業全般に使われる核心部品として位置づけているが、同国は現在、９５％以上を海外輸入に依存している。
