ＳＫハイニックスは１９日、ＨＢＭ３Ｅの量産を開始し、顧客への納品も開始したことを明らかにした。
＊ ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）： 複数のＤＲＡＭを垂直に接続し、従来のＤＲＡＭよりデータ処理速度を革新的に引き上げた高付加価値、高性能製品。ＨＢＭは第１世代（ＨＢＭ）－第２世代（ＨＢＭ２）－第３世代（ＨＢＭ２Ｅ）－第４世代（ＨＢＭ３）－第５世代（ＨＢＭ３Ｅ）の順に開発された。ＨＢＭ３ＥはＨＢＭ３の拡張（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ）バージョン
ＳＫハイニックスは同日のプレスリリースにおいて「当社はＨＢＭ３に続き、現存するＤＲＡＭの最高性能が実装されたＨＢＭ３Ｅも最も早く顧客に供給することになった」とし、「ＨＢＭ３Ｅの量産も成功裏に進め、ＡＩメモリ市場での競争優位を維持していく」と明らかにした。
※ＳＫハイニックスの当該プレスリリース（ハングル）：https://news.skhynix.co.kr/presscenter/hbm3e-production
膨大な量のデータを迅速に処理しなければならないＡＩシステムを実装するためには、多数のＡＩプロセッサとメモリをマルチ接続（Ｍｕｌｔｉ－ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）するように半導体パッケージが構成されなければならない。 そのため、ＡＩへの投資を増やしているグローバルビッグテック企業は、ＡＩ半導体の性能に対する要求水準を高め続けており、ＨＢＭ３Ｅはこれを満たす現存する最適な製品になるとＳＫハイニックスは期待している。
ＨＢＭ３Ｅは、速度と発熱制御など、ＡＩメモリに要求されるすべての部門で世界最高の性能を備えていると同社は強調した。この製品は毎秒最大１．１８ＴＢ（テラバイト）のデータを処理し、これはＦＨＤ（Ｆｕｌｌ－ＨＤ）級映画（５ＧＢ）２３０本分を超えるデータを１秒間で処理する水準だ。
また、ＡＩメモリは非常に速い速度で動作する必要があるため、効果的な発熱制御が鍵となる。同社はこのため、新製品にアドバンスト（Ａｄｖａｎｃｅｄ）ＭＲ－ＭＵＦ＊プロセスを適用し、放熱性能を前世代に比べて１０％向上させた。
＊ ＭＲ－ＭＵＦ：半導体チップを積み重ねた後、チップとチップ間の回路を保護するために液体状の保護材を空間間に注入し、固める工程。チップを一枚ずつ積み重ねるたびにフィルム型素材を敷き詰める方式に比べて工程が効率的で、熱放散にも効果的と評価されている。 特に、ＳＫハイニックスのアドバンストＭＲ－ＭＵＦは、従来の工程に比べてチップを積み重ねる際に加わる圧力を減らし、反り現象の制御（Ｗａｒｐａｇｅ ｃｏｎｔｒｏｌ）も向上させ、ＨＢＭの供給生態系内で安定的な量産性を確保するための核心となっている。
ＳＫハイニックスのリュ・ソンス副社長（ＨＢＭ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ担当）は、「当社は世界初のＨＢＭ３Ｅ量産を通じ、ＡＩメモリ業界をリードする製品ラインアップをさらに強化した」とし、「これまで蓄積してきたＨＢＭビジネスの成功経験を基に、顧客との関係を強固にしながら、＇トータル（Ｔｏｔａｌ） ＡＩメモリプロバイダー（Ｐｒｏｖｉｄｅｒ）＇としての地位を確固たるものにしていきたい」と述べた。
