サムスン電子が「１Ｔｂ（テラビット）ＴＬＣ（Ｔｒｉｐｌｅ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）第９世代ＶNAND」の量産を開始した。
サムスン電子は２３日、「ダブルスタック」構造で実装可能な最高単数製品である第９世代ＶNANDを量産すると明らかにした。
第９世代ＶNANDは、現在の主力製品である２３６段の第８世代ＶNANDに続く製品で、２９０段レベルであることが分かった。
ダブルスタックは、NANDフラッシュを２回にわたる「チャンネルホールエッチング」で分けて穴を開けた後、一つのチップに結合する方法を意味する。
サムスン電子は、チャンネルホールエッチング技術を通じて、一度に業界最大の単数を貫通する工程革新で生産性を高めたと説明した。
