ＳＫハイニックスが台湾ＴＳＭＣと提携し、第６世代高帯域幅メモリ（ＨＢＭ４）を共同開発することが分かった。次世代ＨＢＭで競合するサムスン電子や米マイクロンとの間で技術競争がより激しくなる見通しだ。
ＳＫハイニックスは１９日、台湾ＴＳＭＣと協力してＨＢＭ４を開発し、２０２６年に量産する計画を明らかにした。両社は最近、台湾・台北で技術協力のための了解覚書を締結し、２０２６年量産予定のＨＢＭ４（第６世代ＨＢＭ）を開発する計画だ。
ＳＫハイニックスは、「ＡＩメモリのグローバルリーダーである当社は、ファウンドリ１位企業であるＴＳＭＣと力を合わせて、もう一つのＨＢＭ技術革新を導き出す」とし、「顧客－ファウンドリ－メモリにつながる３者間の技術協力を基に、メモリ性能の限界を突破する」と強調した。
