サムスン電子［００５９３０］が１８日、業界最先端（最小線幅）１２ｎｍ（ナノメートル－１０億分の１）級プロセスで１６ギガビット（Ｇｂ）ＤＤＲ５ ＤＲＡＭの量産を開始したことを明らかにした。
１２ナノ級プロセスは５世代１０ナノ級プロセスを意味する。サムスン電子の１２ナノ級ＤＲＡＭは最先端技術を適用し、前世代製品に比べて生産性が約２０％向上したという。
また、前世代製品より消費電力が約２３％改善された。消費電力の改善により、データセンターなどを運営する上で、電力運営効率を高めることができるとのこと。炭素排出とエネルギー使用の削減に積極的に参加しているグローバルＩＴ企業に最適なソリューションとなることが期待される。
サムスン電子は、誘電率（Ｋ）が高い新素材の適用で電荷を保存するコンデンサ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）の容量を増やした。ＤＲＡＭのコンデンサ容量が増えれば、データ信号の電位差が大きくなり、識別が容易になる。ＤＲＡＭはコンデンサに保存された電荷で１と０を区別し、コンデンサの容量が大きくなるとデータの区別が明確になり、データが確実に区別されてエラーが発生しない。
動作電流低減技術とデータをより確実に区別できるノイズ低減技術なども適用し、業界最先 端の工程を完成させた。
ＤＤＲ５規格の１２ナノ級ＤＲＡＭは最高動作速度７．２Ｇｂｐｓをサポートする。これは１秒間に３０ＧＢ容量のＵＨＤ映画２本を処理できる速度だ。Ｇｂｐｓ（Ｇｉｇａｂｉｔ ｐｅｒ ｓｅｃｏｎｄ）は１秒間に転送されるギガビット単位のデータを意味する。サムスン電子は顧客の需要に合わせて１２ナノ級ＤＲＡＭラインアップを持続的に拡大し、データセンター・人工知能・次世代コンピューティングなど多様なアプリケーションに供給する計画だ。
サムスン電子メモリ事業部ＤＲＡＭ開発室長のイ・ジュヨン副社長は「業界最先 端の１２ナノ級ＤＲＡＭは、差別化された工程技術力を基に優れた性能と高い電力効率を実現した」とし、「大容量処理が要求されるコンピューティング市場の需要に合わせて高性能・大容量を確保するだけでなく、高い生産性で製品を適時に商用化し、ＤＲＡＭ市場を持続的にリードしていく」と述べた。
サムスン電子は１２ナノ級ＤＲＡＭについて昨年１２月にＡＭＤプラットフォーム基盤の互換性検証を終え、グローバルＩＴ企業との協力を通じて次世代ＤＲＡＭ市場を牽引している。
（参考記事：韓国紙「サムスンが日本に先端半導体拠点を設立へ」「１００億円以上の補助金獲得か」）
（参考記事：サムスン電子、業界初の「ＣＸＬ ２．０ ＤＲＡＭ」開発を発表）
（参考記事：サムスン幹部「２０２８年までにメモリ中心のスパコンを作る」「生成型ＡＩはメモリ能力次第」）
